​LED照明的伏-安特性(电压-电流特性)是什么？

由于LED照明的核心是一个PN结；因此它具有半导体二极管的电气特性。LED具有非线性和单向导电性，只有给LED外加一个正向偏置电压，LED才会导通而发光。

当外加电压V<V_a时，LED呈现高阻抗，不会发光。不同材料制备的不同光色的LED，其开启电压也不相同。小功率彩色LED的开启电压通常为1~2.5V，而白光LED的开启电压高于彩色LED的开启电压。

当外加电压V<V_a时，LED进入正向工作区，通过LED的电流与外加电压呈指数关系。

当LED反向偏置时，则进入反向截止区，只有一个很小的反向电流通过LED，LED不会发光。在截止区，曲线的反向拐点电压V_R 被称为反向击穿电压，此时通过LED的电流I_R即为反向电流。

当外加电压V<-V_R时，LED则进入反向击穿区，反向电流急剧增大。

根据LED的伏－安特性，LED的主要电气特性参数归纳为以下几种：

①正向（工作）电流I_F。正向工作电流是指LED在正常发光时的正向电流值。普通LED的正向电流I_F通常仅为10~20mA，而大功率白光LED的I_F通常0.35~1.5A。

②正向（工作）电压VF。正向工作电压是指LED通过正向电流I_F时在其两个电极之间产生的电压降。传统小功率彩色LED的正向工作电压大多为1.4~2.8V(IF=20mA)时，而白光LED的正向工作电压通常为3~4V。

③反向（击穿）电压VR.反向击穿电压是指被测LED通过规定反向电流（如10μA)时在两极间所产生的电压降。由于制作LED芯片所使用的半导体材料不同，V_R值也就不同。例如InGaN LED的V_R=7V，而AlInGaP LED的V_R达20V。

④反向电流I_R。反向电流是指在LED两端施加确定的反向电压时，流过LED的反向电流。该电流一般不大于10μA。

⑤允许功耗P。允许功耗是指保证LED安全工作的最大功率耗散值。在LED应用设计时，LED的实际功耗（P=I_FV_F)应不大于LED的允许功耗。

LED芯片的伏－安特性会受到发光芯片材料的影响。LED与传统光源最大的不同在于具有二极管的特征。从伏－安特性曲线可以看出，电压稍加变动，电流就会立刻增大，从而导致LED亮度不移稳定。因此，当外加电压有可能超过正向电压时，建议接入限流电压；否则，当外加电压发生波动时，会导致正向电压过电压，形成过电流并通过LED，从而造成LED损坏。

即使 LED以并联方式连接也一样。LED的伏－安特性随产品会有偏离，在并联情况下，正向电压将是其中电压最低的LED的电压值。这时电压低的LED中将会有更大的电流通过，而电压高的LED中仅有少量电流通过，这样就会导致LED之间存在亮度差，有时这会成为问题。如果电流差过大，则有可能导致LED损坏。当必须并联连接时，应使用具有相近伏－安特性的LED产品。

虽然LED具有二极管的特性，但是没有整流二极管那样的反向耐压（一般为几伏），因此在某些产品的内部装有防静电的防护二极管。这些产品如果加了反向电压就会短路，因此使用中如存在反向电压的可能，则必须接人反向二极管。